| 发明名称 | 形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法。本发明提供电阻式随机存取存储器(RRAM)结构及其形成方法。该RRAM结构包括具有允许在操作过程中形成与顶部电极自对准的导电通路的凸起台阶部分的底部电极。该凸起台阶部分的倾斜角可为大约30度到150度。可通过蚀刻穿过RRAM堆形成多个RRAM结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104659206A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201410385383.9 | 申请日期 | 2014.08.07 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈德瀚;邹宗成;李伯浩;涂国基 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取存储器(RRAM)，包括：底部电极，具有凸起台阶部分；电阻材料层，共形地覆盖所述底部电极的所述凸起台阶部分；以及顶部电极，位于所述电阻材料层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||