| 发明名称 | 直接键合工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种直接键合工艺，该工艺包括以下步骤：将第一晶圆(10)放置在卡盘(2)的表面上，所述表面包括凹槽(4)；在所述凹槽(4)中施加第一压力，所述第一压力小于从所述第一晶圆(10)的被暴露面观察到的第二压力；使第二晶圆(16)接触所述第一晶圆(10)的所述被暴露面，然后在保持所述第一压力和所述第二压力的同时，开始键合波在两个晶圆之间的传播。 | ||
| 申请公布号 | CN104662649A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201380050458.1 | 申请日期 | 2013.09.20 |
| 申请人 | 索泰克公司 | 发明人 | M·波卡特;阿诺德·卡斯泰;H·莱丝丽 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
| 主权项 | 一种直接键合工艺，该直接键合工艺包括以下步骤：‑将第一晶圆(10)放置(S10)在卡盘(2)的表面(6)上，所述表面包括凹槽(4)；‑在所述凹槽中施加第一压力(P1)，所述第一压力小于从所述第一晶圆(10)的被暴露面(10b)观察到的第二压力(P2)；‑使第二晶圆(16)接触所述第一晶圆(10)的所述被暴露面(10b)，然后在保持所述第一压力和所述第二压力的同时，开始键合波在两个晶圆之间的传播。 | ||
| 地址 | 法国伯尔宁 | ||