| 发明名称 | 一种电容器陶瓷介质材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高介电常数高温度稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法。其组成包含基质成分和掺杂成分，基质成分为xBi(Zn<sub>2/3</sub>Nb<sub>1/3</sub>)O<sub>3</sub>-(1-x)BaTiO<sub>3</sub>，x＝0.18；掺杂的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>占基质成分质量分数的10％～20％，Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>占基质成分质量分数的2％～3％。通过掺杂Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>使Bi(Zn<sub>2/3</sub>Nb<sub>1/3</sub>)O<sub>3</sub>-BaTiO<sub>3</sub>体系电容器陶瓷材料烧结温度不超过1050℃，介温谱在-35～200℃容温变化率在±250ppm之间，介电常数保持在650以上，增大了材料的介电常数同时保持了高的温度稳定性，具有较小的电容温度系数。且相比于其他含稀土类的体系，其成本已经相当低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN103964842B | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201410176882.7 | 申请日期 | 2014.04.29 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 郝华;孟卓;刘韩星;罗俊波;曹明贺;尧中华;余志勇 |
| 分类号 | C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 唐万荣 |
| 主权项 | 一种CK电容器陶瓷介质材料，其特征在于组成包含基质成分和掺杂成分，所述的基质成分为xBi(Zn<sub>2/3</sub>Nb<sub>1/3</sub>)O<sub>3</sub>‑(1‑x)BaTiO<sub>3</sub>，x＝0.18；所述的掺杂成分为Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>；其中，所述的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>占基质成分质量分数的10％～20％，所述的Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>占基质成分质量分数的2％～3％。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||