| 发明名称 | 光电元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种光电元件及其制造方法。光电元件包含：一半导体叠层；一第一金属层形成于该半导体叠层之上，其中该第一金属层具有一第一主平面且该第一金属层的两边缘的厚度为渐薄；及一第二金属层形成于该第一金属层之上，其中该第二金属层具有一与该第一主平面平行的第二主平面且该第二金属层的两边缘的厚度为渐薄，且该第二金属层的边缘超过该第一金属层的边缘。 | ||
| 申请公布号 | CN104659175A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310580722.4 | 申请日期 | 2013.11.15 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 王佳琨;沈建赋;陈宏哲;陈昭兴 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种光电元件，包含：半导体叠层；第一金属层，形成于该半导体叠层之上，其中该第一金属层具有一第一主平面且该第一金属层的两边缘的厚度为渐薄；及第二金属层，形成于该第一金属层之上，其中该第二金属层具有一与该第一主平面平行的第二主平面且该第二金属层的两边缘的厚度为渐薄，且该第二金属层的边缘超过该第一金属层的边缘。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||