发明名称 一种具有重布线层的半导体结构及其制造方法
摘要 本发明公开了一种具有重布线层的半导体结构及其制造方法,所述重布线层的半导体结构包括具有有源面的芯片、位于有源面上的第一连接垫和第二连接垫、位于有源面之上的钝化层以及位于钝化层之上的重布线层,重布线层将用于引出芯片内部元器件电极的第一连接垫与第二连接垫电性连接,且使第二连接垫的部分裸露在外作为与外部实现互连的互连焊区,以将原本在芯片第一连接垫处的互连焊区重新布置到裸露在外部的第二连接垫处直接作为互连焊区,既提高了芯片的集成度、布局灵活性以及减少芯片封装的互连电阻,又具有较简单的结构,有利于减少制作工艺流程,降低生产成本。
申请公布号 CN104659015A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201510052915.1 申请日期 2015.02.02
申请人 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 发明人 叶佳明
分类号 H01L23/525(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/525(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种具有重布线层的半导体结构,其特征在于,包括:芯片,具有一有源面,所述有源面上包括第一连接垫与第二连接垫,所述第一连接垫与所述芯片内部的元器件电性连接;钝化层,覆盖于所述有源面之上,并裸露出至少部分的所述第一连接垫和至少部分的第二连接垫;重布线层,位于所述钝化层之上,并覆盖至少部分所述第一连接垫和覆盖部分所述第二连接垫,以将所述第一连接垫与第二连接垫电性连接;所述第二连接垫未被所述重新布线层和钝化层覆盖的部分裸露在外,以作为所述芯片与外部实现电性互连的互连焊区。
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