发明名称 使用半导体的光器件
摘要 根据使用本发明优选实施例的半导体的光器件,基于具有p-n结结构和波导结构的半导体硅能达成光的折射或反射控制。并且,根据使用本发明半导体的光器件,通过使用反射或折射的控制能直接调制光的振幅。根据本发明优选实施例的光器件,包括:第一波导,入射光信号,且按与入射的光信号相同的方向而形成;第二波导,从所述第一波导起形成一定角度;和反射器,根据施加的电压而变化折射率,进而可按所述第一波导或第二波导选择光信号的通路,且与所述第一波导形成一定角度的倾斜角。
申请公布号 CN104662456A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201280076031.4 申请日期 2012.12.06
申请人 韩国科学技术院 发明人 朴孝勋;金钟勋;赵武熙;李泰雨;韩茔铎
分类号 G02B6/125(2006.01)I;G02F1/015(2006.01)I 主分类号 G02B6/125(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 田喜庆;吴孟秋
主权项 光器件,其特征在于,包括:第一波导,入射光信号,且按与入射的光信号相同的方向而形成;第二波导,从所述第一波导起形成一定角度;和反射器,根据施加的电压而变化折射率,进而可按所述第一波导或所述第二波导选择光信号的通路,且与所述第一波导形成一定角度的倾斜角,所述反射器包括:第一界面,与所述第一波导至少一部分相接,从而使所述光信号进入;和第二界面,与所述第一波导至少一部分相接,从而使所述光信号传出,其中,所述反射器是掺杂p型或n型杂质的半导体器件。
地址 韩国大田广域市