发明名称 |
使用半导体的光器件 |
摘要 |
根据使用本发明优选实施例的半导体的光器件,基于具有p-n结结构和波导结构的半导体硅能达成光的折射或反射控制。并且,根据使用本发明半导体的光器件,通过使用反射或折射的控制能直接调制光的振幅。根据本发明优选实施例的光器件,包括:第一波导,入射光信号,且按与入射的光信号相同的方向而形成;第二波导,从所述第一波导起形成一定角度;和反射器,根据施加的电压而变化折射率,进而可按所述第一波导或第二波导选择光信号的通路,且与所述第一波导形成一定角度的倾斜角。 |
申请公布号 |
CN104662456A |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201280076031.4 |
申请日期 |
2012.12.06 |
申请人 |
韩国科学技术院 |
发明人 |
朴孝勋;金钟勋;赵武熙;李泰雨;韩茔铎 |
分类号 |
G02B6/125(2006.01)I;G02F1/015(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/125(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
田喜庆;吴孟秋 |
主权项 |
光器件,其特征在于,包括:第一波导,入射光信号,且按与入射的光信号相同的方向而形成;第二波导,从所述第一波导起形成一定角度;和反射器,根据施加的电压而变化折射率,进而可按所述第一波导或所述第二波导选择光信号的通路,且与所述第一波导形成一定角度的倾斜角,所述反射器包括:第一界面,与所述第一波导至少一部分相接,从而使所述光信号进入;和第二界面,与所述第一波导至少一部分相接,从而使所述光信号传出,其中,所述反射器是掺杂p型或n型杂质的半导体器件。 |
地址 |
韩国大田广域市 |