| 发明名称 | N型LDMOS器件及工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种N型LDMOS器件，在P型衬底上的N型深阱中具有P阱及N阱，硅表面具有多晶硅栅极及侧墙结构。所述N阱中具有LDMOS器件的漏区，漏区上有金属电极将漏区引出；所述P阱中具有LDMOS器件的源区，以及重掺杂P型区，金属电极将重掺杂P型区及源区引出。所述LDMOS器件的表面为非平面的有台阶结构，漏区的位置高于LDMOS的沟道。本发明还公开了所述N型LDMOS器件的工艺方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104659103A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510080729.9 | 申请日期 | 2015.02.15 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 石晶;钱文生 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种N型LDMOS器件，在P型衬底上的N型深阱中具有P阱及N阱，衬底表面具有多晶硅栅极及侧墙结构；所述N阱中具有LDMOS器件的漏区，漏区上有金属电极将漏区引出；所述P阱中具有LDMOS器件的源区，以及重掺杂P型区，金属电极将重掺杂P型区及源区引出；其特征在于：所述LDMOS器件的表面为非平面的有台阶结构，漏区的位置高于LDMOS的沟道。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||