非平面SiGe沟道PFET

摘要

本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。示例性半导体器件结构包括由锗化合物形成的沟道层，沟道层具有锗浓度B且形成在具有锗浓度A的半导体衬底上，其中衬底的锗浓度A小于沟道层的锗浓度B。该结构还包括为使沟道层与金属栅极分隔而形成的覆盖层，该覆盖层具有锗浓度C，沟道层的锗浓度B大于覆盖层的锗浓度C。本发明还公开非平面SiGe沟道PFET。

主权项

一种半导体器件结构，包括：沟道层，由锗化合物形成，所述沟道层具有锗浓度B且形成在具有锗浓度A的半导体衬底上，所述衬底的锗浓度A小于所述沟道层的锗浓度B；覆盖层，形成为使得所述沟道层与金属栅极分隔，所述覆盖层具有锗浓度C，所述沟道层的锗浓度B大于所述覆盖层的锗浓度C。