| 发明名称 | 一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO<sub>2</sub>栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的环境中退火该栅氧化层。优选SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>以0.5slm-2slm的速率通入，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法仅使用SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>退火栅介质SiO<sub>2</sub>层，可以兼顾单独使用H<sub>2</sub>和Cl<sub>2</sub>退火的效果，同时消除SiO<sub>2</sub>栅介质层中的氧空位陷阱电荷和SiO<sub>2</sub>/SiC界面存在的悬挂键。 | ||
| 申请公布号 | CN104658903A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510050088.2 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 赵艳黎;刘国友;李诚瞻;史晶晶;陈喜明;丁荣军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建;陈伟 |
| 主权项 | 一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，包括：在SiC外延层上热生长SiO<sub>2</sub>栅氧化层，然后在500～1000℃下，包含SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的环境中退火该栅氧化层。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||