| 发明名称 | 用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，化学组成通式为（Ge<sub>10</sub>Sb<sub>90</sub>）<sub>x</sub>N<sub>1-x</sub>，其中x=0.50～0.90。与传统的Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>相变薄膜材料相比，本发明的GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；另外GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN104659209A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510067700.7 | 申请日期 | 2015.02.09 |
| 申请人 | 江苏理工学院 | 发明人 | 朱小芹;潘佳浩;吴小丽;胡益丰;薛建忠;袁丽;吴卫华;张建豪;江向荣 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人 | 孙培英 |
| 主权项 | 一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Ge<sub>10</sub>Sb<sub>90</sub>）<sub>x</sub>N<sub>1‑x</sub>，其中x=0.50～0.90。 | ||
| 地址 | 213001 江苏省常州市钟楼区中吴大道1801号 | ||