| 发明名称 | 半导体发光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光装置1包括：半导体堆叠层2，其具有垂直于所述半导体堆叠层2的堆叠表面的光提取表面3a；设置在所述半导体堆叠层2上的透光的导光构件3；设置在所述导光构件3上的光反射构件4；和光反射包装5，其具有对应于所述光提取表面3a的开口部并且包围所述半导体堆叠层2的外周表面。 | ||
| 申请公布号 | CN104659172A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201410653499.6 | 申请日期 | 2014.11.17 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 市川将嗣 |
| 分类号 | H01L33/24(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/24(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吴胜周 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：半导体堆叠层，其具有垂直于所述半导体堆叠层的堆叠表面的光提取表面；设置在所述半导体堆叠层上的透光的导光构件；设置在所述导光构件上的光反射构件；和光反射包装，其具有对应于所述光提取表面的开口部并且包围所述半导体堆叠层的外周表面的至少一部分。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||