一种单晶硅太阳能电池的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅太阳能电池的刻蚀方法，用2号腐蚀液对硅片的非扩散面进行腐蚀，所述2号腐蚀液中含有浓度为50~55g/L的胆碱、250~275g/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)和10~12g/L的苯甲酸钠，反应温度为70~80℃。本发现在不增加工艺复杂度的情况下，使用2号腐蚀液的有机碱混合液代替氢氧化钾对非扩散面进行腐蚀，又因为有机碱混合液只与硅反应，且能达到抛光效果，同时有机碱液与磷硅玻璃几乎不反应，生产中的硅片经过1号腐蚀液腐蚀后背面和侧面的磷硅玻璃已被去除，而扩散面磷硅玻璃完好，所以在扩散面不被破坏的情况下使得非扩散面抛光，从而使得非扩散面与背场银浆增加有效接触，以提高电池片短路电流、开路电压、并联电阻及转换效率。

主权项

一种单晶硅太阳能电池的刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）用1号腐蚀液对硅片的非扩散面和侧面进行腐蚀，所述1号腐蚀液中含有浓度为330g/L的硝酸、30g/L的氢氟酸和350g/L的硫酸，反应温度为8℃；（2）用2号腐蚀液对硅片的非扩散面进行腐蚀，所述2号腐蚀液中含有浓度为50~55g/L的胆碱、250~275g/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)和10~12g/L的苯甲酸钠，反应温度为70~80℃；（3）以质量浓度为8%的氢氟酸液腐蚀硅片的扩散面。