隔离型NLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，将N阱104移向沟道侧，使鸟嘴位于N阱上，保证器件有较高的开态击穿电压，并在N阱下方加打一道P型注入区，使漂移区的耗尽区面积增加，关态击穿电压升高，从而能在保证器件的开态击穿电压的同时，保证器件有足够高的关态击穿电压。P型注入区长度可调节，关态击穿电压随P型注入区长度增加而增加。本发明还公开了该种隔离型NLDMOS器件的制造方法。

主权项

一种隔离型NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底上形成有N型深阱；在所述N型深阱左部形成有一P阱；在所述N型深阱右部形成有一N阱；所述P阱同所述N阱之间有N型深阱间隔区；P阱右部、N阱左部及P阱同N阱之间的N型深阱间隔区上方，形成有多晶硅栅；多晶硅栅同P阱右部、P阱同N阱之间的N型深阱间隔区之间，由栅氧化层隔离；多晶硅栅同N阱左部之间，从左到右依次由栅氧化层、漂移区场氧隔离；所述N阱下方的N型深阱中，形成有一P型注入区；P阱上形成有一重掺杂P型区及一重掺杂N型区；N阱右部上形成有一重掺杂N型区；P阱上的重掺杂P型区作为P阱引出端；P阱上的重掺杂N型区、N阱右部上的重掺杂N型区分别作为NLDMOS器件的源区、漏区引出端；所述N阱的N型掺杂浓度，大于N型深阱的N型掺杂浓度，并且小于重掺杂N型区的N型掺杂浓度；所述P阱的P型掺杂浓度，大于P型硅衬底的P型掺杂浓度，并且小于重掺杂P型区的P型掺杂浓度；所述P型注入区的P型掺杂浓度，大于P型硅衬底的P型掺杂浓度。