| 发明名称 | 晶体管结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种晶体管结构及其制作方法。晶体管结构配置于基板上且包括栅极、有机半导体层、栅绝缘层以及图案化金属层。栅绝缘层配置于栅极与有机半导体层之间。图案化金属层具有导电氧化表面，且图案化金属层区分为源极及漏极。有机半导体层的一部分暴露于源极与漏极之间。导电氧化表面直接接触有机半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN104659210A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201410008233.6 | 申请日期 | 2014.01.08 |
| 申请人 | 元太科技工业股份有限公司 | 发明人 | 徐振航;王裕霖;王旨玄;辛哲宏 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种晶体管结构，配置于基板上，其特征在于该晶体管结构包括：栅极；有机半导体层；栅绝缘层，配置于该栅极与该有机半导体层之间；以及图案化金属层，具有导电氧化表面，且该图案化金属层区分为源极及漏极，其中该有机半导体层的一部分暴露于该源极与该漏极之间，且该导电氧化表面直接接触该有机半导体层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号 | ||