发明名称 |
重分布层的自对准 |
摘要 |
一种装置包括具有多个电器件的衬底。形成在衬底的第一侧上的互连结构使电器件互连。伪TSV的每个延伸穿过衬底且在衬底的第二侧上形成对准掩模。功能TSV的每个延伸穿过衬底且电连接至电器件。形成在衬底的第二侧上的重分布层(RDL)使伪TSV中的一些与功能TSV中的一些互连。功能TSV上方的RDL的台阶高度小于预定值,而伪TSV上方的RDL的台阶高度大于预定值。本发明还提供了重分布层的自对准。 |
申请公布号 |
CN104658969A |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201410120711.2 |
申请日期 |
2014.03.27 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
杨固峰;钟明慈;施泓业;吴钧;蔡承祐;陈新瑜;吴仓聚;邱文智 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种装置,包括:衬底,包括多个电器件;互连结构,形成在所述衬底的第一侧上,并且使所述多个电器件中的一些互连;多个伪硅通孔(TSV),所述多个伪硅通孔的每个延伸穿过所述衬底并且在所述衬底的第二侧上形成对准掩模;多个功能TSV,所述多个功能TSV的每个延伸穿过所述衬底并且电连接至所述多个电器件中的一个;以及重分布层(RDL),形成在所述衬底的所述第二侧上,并且使所述多个伪TSV中的一些与所述功能TSV中的一些互连,其中,所述功能TSV上方的第一台阶高度小于预定值,并且所述伪TSV上方的第二台阶高度大于所述预定值。 |
地址 |
中国台湾新竹 |