发明名称 一种共掺杂TiO<sub>2</sub>压敏陶瓷的方法、共掺杂TiO<sub>2</sub>压敏电阻及其制备方法
摘要 本发明涉及一种共掺杂TiO<sub>2</sub>压敏陶瓷的方法、共掺杂TiO<sub>2</sub>压敏电阻及其制备方法,属于电器元件及其材料制造技术领域。首先将Ge、GeO<sub>2</sub>、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>加入到TiO<sub>2</sub>中得到混合物料,然后混合物料湿磨、干燥、过筛后造粒、造粒后继续过筛、再将粉料压制成小圆片;将小圆片加热排胶,再热烧结冷却到室温制备得到(Ge、GeO<sub>2</sub>、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)共掺杂TiO<sub>2</sub>压敏陶瓷;该压敏陶瓷表面加工、被电极、烧银后封装得到(Ge、GeO<sub>2</sub>、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)共掺杂TiO<sub>2</sub>压敏电阻。本发明提高了TiO<sub>2</sub>系压敏陶瓷电阻的性能。
申请公布号 CN104649661A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201410749277.4 申请日期 2014.12.10
申请人 昆明理工大学 发明人 甘国友;康昆勇;严继康;易建红;杜景红;张家敏;刘意春;鲍瑞;谈松林;赵文超;荣雪全;王志敏
分类号 C04B35/46(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/46(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种(Ge、GeO<sub>2</sub>、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)共掺杂TiO<sub>2</sub>压敏陶瓷,其特征在于:该(Ge、GeO<sub>2</sub>、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)共掺杂TiO<sub>2</sub>压敏陶瓷包括以下质量百分比组分:Ge0.3%、GeO<sub>2</sub>0.9%、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>各占0.5%,剩余为TiO<sub>2</sub>。
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号