| 摘要 |
<p>본 발명은 소스 전극 또는 드레인 전극의 막 두께의 격차 또는 단선을 방지한 반도체 장치를 용이하게 제작하는 방법을 제안한다. 절연 기판상에 형성된 반도체층과, 반도체층상에 형성된 제 1 절연층과, 제 1 절연층상에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극상에 형성된 제 2 절연층을 갖고, 적어도 제 1 절연층, 및 제 2 절연층에 형성된 반도체층에 도달하는 개구부와, 상기 개구부에서 상기 제 2 절연층의 측면에 형성된 단차를 갖는다.</p> |
