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<p>마스크층으로서의 산화막층에 관한 실리콘층의 에칭에 있어서의 선택비를 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 마스크층으로서의 SiO층(62)과, 처리 대상층으로서의 실리콘층(61)을 가지는 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(25)의 챔버(42)내에 반입하고, NF가스, HBr 가스, O가스 및 SiCl가스의 혼합 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 SiO층(62) 표면에 데포(65)를 퇴적시켜서 마스크층으로서의 층 두께를 확보하면서 실리콘층(61)을 에칭한다.</p> |
