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<p>패터닝된 이종(heterogeneous) 구조들 상의 노출된 실리콘-질소-및-탄소-함유 재료를 에칭하는 방법이 설명되고, 그 방법은 불소-함유 전구체 및 산소-함유 전구체로부터 형성되는 원격 플라즈마 에칭을 포함한다. 원격 플라즈마로부터의 플라즈마 유출물들은 기판 프로세싱 구역 내로 유동되고, 그 기판 프로세싱 구역에서, 플라즈마 유출물들은 실리콘-질소-및-탄소-함유 재료의 노출된 구역들과 반응한다. 플라즈마 유출물들은, 노출된 실리콘-질소-및-탄소-함유 재료 구역들로부터 실리콘-질소-및-탄소-함유 재료를 선택적으로 제거하면서, 선택된 다른 노출된 재료들을 매우 느리게 제거하도록, 패터닝된 이종 구조들과 반응한다. 실리콘-질소-및-탄소-함유 재료 선택비는, 기판 프로세싱 구역과 원격 플라즈마 사이에 위치된 이온 억제 엘리먼트(ion suppression element)의 존재로부터 부분적으로 기인한다. 이온 억제 엘리먼트는, 기판에 도달하는 이온성-대전된(ionically-charged) 종들의 수를 제어한다. 방법들은, 노출된 실리콘 산화물 또는 노출된 실리콘 질화물보다 더 빠른 레이트로 실리콘-질소-및-탄소-함유 재료를 선택적으로 제거하는데 사용될 수 있다.</p> |
