发明名称 NONVOLATILE MEMORY DEVICE INDEPENDENT FROM BREAKDOWN VOLTAGE
摘要 <p>본 발명의 불휘발성 메모리 장치는 복수의 워드라인들이 배열된 메모리 셀 어레이 영역, 제 1 금속으로 구성된 복수의 제 1 타입 메탈 라인들과 제 2 금속으로 구성된 복수의 제 2 타입 메탈 라인들을 통해 상기 복수의 워드라인들로 복수의 전압들을 제공하는 디코더, 그리고 상기 복수의 제 1 타입 메탈 라인들을 상기 복수의 워드라인들에 포함된 제 1 그룹의 워드라인들에 연결하고, 상기 복수의 제 2 타입 메탈 라인들을 상기 복수의 워드라인들에 포함된 제 2 그룹의 워드라인들에 연결하는 인터페이스 영역을 포함한다. 상기 복수의 제 1 타입 메탈 라인들은 상기 제 1 그룹의 워드라인들이 배치된 순서에 대응되도록 순차적으로 배치되고, 상기 복수의 제 2 타입 메탈 라인들은 상기 제 2 그룹의 워드라인들이 배치된 순서에 대응되도록 순차적으로 배치되고, 상기 복수의 제 1 타입 메탈 라인들의 개수와 상기 복수의 제 2 타입 메탈 라인들의 개수는 서로 다르다.</p>
申请公布号 KR101521993(B1) 申请公布日期 2015.05.22
申请号 KR20090029046 申请日期 2009.04.03
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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