| 发明名称 |
辐射系统及包含该辐射系统之微影装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI485532 |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
| 申请号 |
TW101123937 |
申请日期 |
2007.09.19 |
| 申请人 |
ＡＳＭＬ荷兰公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
凡 赫本 马登 马瑞司 乔汉娜 威贺默思;班尼 凡丁 叶弗真叶米希;法兰肯 乔汉纳 克利斯丁 里欧那达;佛利恩斯 欧勒夫 华德玛 佛勒迪米尔;克朗德 德克 珍 威弗瑞德;德瑞森 奈尔斯 麦奇尔;索尔 华特 安东 |
| 分类号 |
G03F7/20;H01L21/027;G01J1/16 |
主分类号 |
G03F7/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种用于一远紫外线(EUV)微影系统中之光学感应器装置，其包含：一光学感应器，其包含一感应器表面，其中该光学感应器包含具有YAG：Ce之一EUV敏感性闪烁(scintillation)材料及经组态以回应于由入射EUV辐射所引起之闪烁而侦测自该闪烁材料发射之光子能量的一侦测器；及一移除机件，其经组态以连续地自该感应器表面移除碎片，该移除机件具有一氢基供应系统，其中该感应器表面包含具有小于0.2之氢基重组常数的一顶盖层。
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| 地址 |
荷兰 |
