薄晶圆处理结构及薄晶圆接合及剥离之方法,申请号TW099121418-传众专利搜索

发明名称	薄晶圆处理结构及薄晶圆接合及剥离之方法
摘要
申请公布号	TWI485756	申请公布日期	2015.05.21
申请号	TW099121418	申请日期	2010.06.30
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	发明人	余振华;许国经;陈承先;萧景文
分类号	H01L21/30	主分类号	H01L21/30
代理机构		代理人	洪澄文台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项	一种薄晶圆处理结构，包括：一半导体晶圆；一剥离层(release layer)，其可由施加能量予以剥离；一黏着层，其可由溶剂予以移除；以及一载材；其中该剥离层以涂布或压合方式至少其一施加至该载材，该黏着层系以涂布或压合方式至少其一施加至该半导体晶圆，该半导体晶圆及该载材相互接合，且该剥离层及该黏着层位于该半导体晶圆及该载材之间；其中该剥离层之外缘位于该载材之外缘内，且与该载材之外缘具有一间隔。
地址	新竹市新竹科学工业园区力行六路8号