| 主权项 |
一种积体电路元件的形成方法，包括：提供一基板；形成一闸极结构，该闸极结构包括一虚置闸极于该基板上；形成一重掺杂源极区以及一重掺杂汲极区于该基板中，且该重掺杂源极区以及该重掺杂汲极区与该虚置闸极相邻；在形成该重掺杂源极区与该重掺杂汲极区后，形成第一层间介电层于该基板与该闸极结构上，且该第一层间介电层露出该虚置闸极；进行一闸极置换制程，将该闸极结构之虚置闸极置换成一闸极，其中该闸极置换制程包括一回火制程；在该回火制程后，形成一第二层间介电层于该第一层间介电层上；移除部份该第一层间介电层与部份该第二层间介电层，以形成一接触开口穿过该第一层间介电层与该第二层间介电层并露出部份该基板；形成一金属矽化物结构于该接触开口所露出之该基板上；以及将一导电材料填入该接触开口以形成一接触物于露出之该基板上。
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