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发明名称 半导体装置及该半导体装置的制造方法
摘要
申请公布号 TWI485781 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW099106156 申请日期 2010.03.03
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 大原宏树;佐佐木俊成
分类号 H01L21/336;H01L21/324 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的基板上形成具有第一非晶结构的氧化物半导体层；在该氧化物半导体层上形成源极电极及汲极电极；在该氧化物半导体层上形成包含氧化矽的无机绝缘膜，其中基板温度小于或等于300℃；以及在形成该包含氧化矽的无机绝缘膜之后进行300℃或高于300℃且小于或等于该基板的应变点的热处理，其中，在形成该氧化物半导体层的步骤之后与在形成该无机绝缘膜的步骤之前的期间，不在300℃或高于300℃加热该氧化物半导体层。
地址 日本
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