发明名称 半導体装置および半導体装置の製造方法
摘要 ヒートスプレッダを内蔵する半導体装置において、絶縁破壊を抑制するように改善された構成を備える半導体装置を提供する。半導体装置は、底面を有する電気伝導性のヒートスプレッダと、シート部材と、半導体素子であるIGBTおよびダイオードと、モールド樹脂を備えている。シート部材は、表面および裏面を備え、表面と裏面を電気的に絶縁し、表面がヒートスプレッダの底面に接しかつ底面の縁から突き出した周縁部を備える。IGBTおよびダイオードは、ヒートスプレッダに固定され、ヒートスプレッダと電気的に接続される。モールド樹脂は、シート部材の表面、ヒートスプレッダ、および半導体素子を封止し、かつシート部材の裏面の少なくとも一部を露出させる。ヒートスプレッダは、底面の隅に、平面視で面取り形状又は曲面形状でありかつ断面視で矩形状である隅部を備える。
申请公布号 JPWO2013124988(A1) 申请公布日期 2015.05.21
申请号 JP20140500798 申请日期 2012.02.22
申请人 三菱電機株式会社 发明人 坂本 健;鹿野 武敏;佐々木 太志
分类号 H01L23/28;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人
主权项
地址