| 发明名称 |
溅镀靶材用之ＺｎＯ－ＧａＯ烧结体及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI485274 |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
| 申请号 |
TW099113915 |
申请日期 |
2010.04.30 |
| 申请人 |
爱发科股份有限公司 |
发明人 |
长山五月;里之园馨 |
| 分类号 |
C23C14/08;C04B35/64;C04B35/453 |
主分类号 |
C23C14/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
张耀晖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼 |
| 主权项 |
一种溅镀靶材用之ZnO-Ga2O3烧结体之制造方法，其系以氧化锌粉末与氧化镓粉末的混合粉末成型；将前述混合粉末之成型体收容在设于烧结炉内且具有第1孔及第2孔之容器中；将通过前述第1孔通入前述容器内部之氧气经前述第2孔排气，使前述容器内维持氧气环境，同时将前述成型体升温至1200℃以上1500℃以下之烧结温度；在前述容器内部通入氧气之状态下维持前述烧结温度；及在停止朝前述容器内部通入氧气之状态下使炉内降温以使烧结体还原。 |
| 地址 |
日本 |
