半導体装置の製造方法

摘要

チョクラルスキー法で作製された単結晶シリコンインゴットを原料としてフローティング法で作製された単結晶シリコンインゴットから切断されたシリコンウエハを用いて、逆阻止型ＩＧＢＴを作製する。逆阻止型ＩＧＢＴの逆阻止能力を確保するために形成される分離層は、シリコンウエハに導入された不純物を熱拡散処理によって拡散させることで形成される。分離層を形成する熱拡散処理は、不活性ガス雰囲気中で、１２９０℃以上、シリコンの融点未満の温度で行われる。これにより、シリコンウエハに結晶欠陥が発生せず、逆阻止型ＩＧＢＴに逆耐圧不良や順方向不良が発生することを防止することができ、半導体素子の良品率を向上させることができる。