发明名称 提升硒化物薄膜成长品质之蒸镀装置
摘要
申请公布号 TWI485276 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW102144505 申请日期 2013.12.05
申请人 国家中山科学研究院 发明人 梁仕昌;黄伟杰;魏肇男;倪国裕;薄慧云
分类号 C23C14/24 主分类号 C23C14/24
代理机构 代理人
主权项 一种提升硒化物薄膜成长品质之蒸镀装置,供以于一基板上形成薄膜,包含:一坩锅,具有一容置空间供以容置复数个蒸镀源材料;至少一加热装置,环绕设置于该坩锅外,供以加热该等蒸镀源材料;一套环座,靠抵于该坩锅,且该套环座具有一开口而与该坩锅之容置空间形成连通之状态;至少一第一隔板,靠抵设置于该套环座内,该第一隔板具有至少一混流孔,且该混流孔系设于该第一隔板之中心处位置;及至少一第二隔板,靠抵设置于该套环座内,该第二隔板具有复数个分流孔,且该等分流孔系设于该第二隔板非中心处位置;其中该第一隔板与该第二隔板之剖面系成ㄇ型,且该第一隔板与该第二隔板系相互靠抵而于该第一隔板与该第二隔板间形成一混合空间。
地址 桃园市龙潭区中正路佳安段481号