| 发明名称 |
改善以电浆增强化学气相沈积法（ＰＥＣＶＤ）沈积碳膜之厚度重复性的方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI485283 |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
| 申请号 |
TW098142631 |
申请日期 |
2009.12.11 |
| 申请人 |
诺菲勒斯系统公司 |
发明人 |
亨利 强;徐吉申;史库拉克 罗伯特;史塔德 史考特 |
| 分类号 |
C23C16/26;C23C16/44 |
主分类号 |
C23C16/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种在电子装置制造期间在半导体基板上沈积碳基膜之方法，该方法包括：于沈积室之上游提供乙炔源，其包括在25℃下具有小于约10托之蒸气压的溶剂；从该乙炔源输送乙炔气流至沈积室，以用于形成该碳基膜，其中该溶剂于该乙炔气流中的比率系介于约0.01体积%与0.2体积%之间；及经由该乙炔之化学气相沈积反应在该半导体基板上沈积该碳基膜。
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| 地址 |
美国 |
