发明名称 ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法(MethodForFabricatingNanoPatternedSubstrateForHighEfficiencyNitridebasedLightEmittingDiode)
摘要 本発明の窒化物系発光ダイオードの製造方法は、底部と凸部とを含み、凸部の下端径は発光ダイオードの発光波長の0.1〜3倍であるナノパターンを有する基板とこれに形成されるGaN層からなるバッファ層を製造する方法を提供する。本発明の窒化物系発光ダイオードの製造方法を用いることで、光抽出向上値が大きく増大され、ナノレベルのパターンを経済的に形成することができる。【選択図】図1
申请公布号 JP2015515145(A) 申请公布日期 2015.05.21
申请号 JP20150506889 申请日期 2013.04.16
申请人 ヒューネット プラス カンパニー リミテッドHUNET PLUS CO., LTD. 发明人 チャ ヒョクジン;リ ホン;チェ ウンソ
分类号 H01L33/22;H01L33/32 主分类号 H01L33/22
代理机构 代理人
主权项
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