发明名称 |
ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法(MethodForFabricatingNanoPatternedSubstrateForHighEfficiencyNitridebasedLightEmittingDiode) |
摘要 |
本発明の窒化物系発光ダイオードの製造方法は、底部と凸部とを含み、凸部の下端径は発光ダイオードの発光波長の0.1〜3倍であるナノパターンを有する基板とこれに形成されるGaN層からなるバッファ層を製造する方法を提供する。本発明の窒化物系発光ダイオードの製造方法を用いることで、光抽出向上値が大きく増大され、ナノレベルのパターンを経済的に形成することができる。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2015515145(A) |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
申请号 |
JP20150506889 |
申请日期 |
2013.04.16 |
申请人 |
ヒューネット プラス カンパニー リミテッドHUNET PLUS CO., LTD. |
发明人 |
チャ ヒョクジン;リ ホン;チェ ウンソ |
分类号 |
H01L33/22;H01L33/32 |
主分类号 |
H01L33/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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