| 摘要 |
１００、１２５、１５０及び２００ｍｍ高品質結晶ＳｉＣ基板の製造に適した大口径ＳｉＣ単結晶を形成する方法及びシステム。該ＳｉＣ単結晶は、浅い半径方向温度勾配の存在下での種を用いた昇華技術により成長させられる。ＳｉＣ昇華成長の間、炭素粒子から濾過されたＳｉＣ含有蒸気流は、種結晶とＳｉＣ含有蒸気の原料との間に配された分割板により、種結晶の表面の領域に制限される。該分割板は、第１の実質的に蒸気透過性の部分と、該第１の部分を囲んでいる第２の実質的に蒸気非透過性の部分とを含む。成長した結晶は、平坦またはわずかに凸状の成長界面を有する。成長した結晶から製造される大口径ＳｉＣウエハは、低い格子曲率、並びに、積層欠陥、混入物、マイクロパイプ及び転位のような結晶欠陥についての低い密度を示す。【選択図】図６ |
