| 摘要 |
<p>Siliciumepitaxialwafer, erhalten durch Wachsenlassen einer Siliciumepitaxialschicht auf einer Oberfläche eines Siliciumwafers mit einem Durchmesser von mindestens 300 mm, hergestellt durch Schneiden eines Siliciumeinkristall-Ingots, der mit Bor und Germanium dotiert ist, gezogen mittels des Czochralski-Verfahrens, wobei Bor so dotiert ist, dass es in einer Konzentration von 8,5 × 1018 (Atome/cm3) oder höher vorliegt, und Germanium so dotiert ist, dass es einen untenstehenden Vergleichsausdruck erfüllt:wobei [B] die Borkonzentration (Atome/cm3), [Ge] die Germaniumkonzentration (Atome/cm3),”r”den Waferradius (μm), tepi die Epitaxialwachstumsdicke (μm) und tsub die Waferdicke (μm) bezeichnet.</p> |
