发明名称 Hochfrequenz-Stromversorgungsvorrichtung sowie Verfahren zur Stromsteuerung reflektierter Wellen
摘要 <p>RF-Leistungsversorgungsvorrichtung, die eine RF-Leistung an eine Plasmalast liefert, wobei die RF-Leistungsversorgungsvorrichtung umfasst: eine RF-Generatoreinheit, die einen Gleichstrom einer Gleichstrom-Leistungsversorgung in RF-Wechselstrom über einen Schaltbetrieb wandelt und RF-Leistung ausgibt; und ein Feedback-System, das einen Detektionswert der RF-Ausgabe der RF-Generatoreinheit zum Durchführen einer Feedback-Steuerung rückkoppelt, wobei das Feedback-System umfasst: ein Vorwärts-Wellenleistungs-Steuerkreissystem, das einen Detektionswert einer Vorwärts-Wellenleistung rückkoppelt, die von der RF-Generatoreinheit an eine Plasmalast gesendet wird, zum Steuern der Vorwärts-Wellenleistung; und eine Vielzahl von Reflektierte-Wellenleistungs-Steuerkreissystemen, die jeweils einen Detektionswert einer reflektierten Wellenleistung rückkoppelt, die von der Plasmalast an die RF-Generatoreinheit gesendet wird zum Steuern der reflektierten Wellenleistung, wobei das Reflektierte-Wellenleistungs-Steuerkreissystem umfasst: ein Reflektierte-Wellenleistungs-Spitzenwertabsenk-Kreissystem und ein Bogenblockiersystem, die eine Spitzenwertvariation in einer reflektierten Wellenleistung steuert, und ein Reflektierte-Wellenleistungsgrößen-Absenkkreissystem, das eine geglättete Leistungsgröße einer reflektierten Wellenleistung steuert, wobei das Reflektierte-Wellenleistungs-Spitzenwertabsenk-Kreissystem eine Gleichstromspannung der Gleichstrom-Leistungsversorgung der RF-Generatoreinheit auf Grundlage eines Spitzenwerts einer reflektierten Wellenleistung steuert, und, über die Spannungssteuerung der Gleichstrom-Leistungsversorgung, eine Steuerung durchführt, ob der Spitzenwert der reflektierten Wellenleistung abzusenken ist, wobei das Bogenblockiersystem eine Steuerung durchführt, ob von einer RF-Verstärkereinheit der RF-Generatoreinheit auszugeben ist, auf Grundlage des Spitzenwerts der reflektierten Wellenleistung, um zu steuern, ob Leistung an die Plasmalast zu liefern ist und dadurch ein Bogenblockieren an der Plasmalast steuert, und wobei das Reflektierte-Wellenleistungsgrößen-Absenkkreissystem ein Duty-Verhältnis (Zeitverhältnis) zwischen einem AN-Zustand und einem AUS-Zustand der RF-Verstärkereinheit der RF-Generatoreinheit auf Grundlage einer geglätteten Leistungsgröße der reflektierten Wellenleistung steuert, um eine Leistungsversorgung an die Plasmalast zu steuern und dadurch ein Absenken einer Leistungsgröße der reflektierten Wellenleistung zu steuern.</p>
申请公布号 DE13807713(T1) 申请公布日期 2015.05.21
申请号 DE13807713T 申请日期 2013.06.03
申请人 KYOSAN ELECTRIC MFG. CO., LTD. 发明人 AIKAWA, SATOSHI,;YUZURIHARA, ITSUO,;KUNITAMA, HIROSHI,
分类号 H05H1/46;H05H1/00 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
主权项
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