| 发明名称 | 切换装置及其操作方法与记忆体阵列 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI485701 | 申请公布日期 | 2015.05.21 |
| 申请号 | TW101127397 | 申请日期 | 2012.07.30 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 简维志;李峰旻;李明修 |
| 分类号 | G11C11/00 | 主分类号 | G11C11/00 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种切换装置，包括：一第一固态电解质层；一第二固态电解质层；以及一切换层，邻接于该第一固态电解质层与该第二固态电解质层之间；其中施加一偏压至该第一固态电解质层或该第二固态电解质层，以使该切换层的性质从电性阻断转变成电性导通，且自该第一固态电解质层或该第二固态电解质层移除该偏压，以使该切换层的性质从电性导通转变成电性阻断。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||