发明名称 发射辐射半导体装置
摘要
申请公布号 TWI485892 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW100107509 申请日期 2011.03.07
申请人 欧司朗光电半导体公司 发明人 威特曼 麦克
分类号 H01L33/62 主分类号 H01L33/62
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种发射辐射半导体装置,包含:外壳本体(10),其具有晶片安装面积(10a)晶片连接区域(3)及导线连接区域(2);发射辐射半导体晶片(1);导线(12),其将该导线连接区域(2)电性导通连接至该发射辐射半导体晶片(1);吸光材料(4);其中该晶片连接区域(3)及该导线连接区域(2)系排列于该晶片安装面积(10a)上,该发射辐射半导体晶片(1)系固定于该晶片连接区域(3),该晶片连接区域(3)系以该吸光材料(4)覆盖于该晶片连接区域中未被该发射辐射半导体晶片(1)覆盖之位置上;该晶片安装面积(10a)在某些位置系无该吸光材料(4);该发射辐射半导体晶片(1)在某些位置系无该吸光材料(4);以及该导线连接区域(2)系在未被该导线(12)覆盖之位置以该吸光材料(4)覆盖。
地址 德国