发明名称 | 半导体封装结构及半导体封装结构的制作方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI485823 | 申请公布日期 | 2015.05.21 |
申请号 | TW099122521 | 申请日期 | 2010.07.08 |
申请人 | 旭德科技股份有限公司 | 发明人 | 曾子章;王金胜;庄志宏 |
分类号 | H01L23/367;H01L21/50 | 主分类号 | H01L23/367 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
主权项 | 一种半导体封装结构的制作方法,包括:提供一介电层,该介电层具有彼此相对的一第一表面以及一第二表面,其中该介电层已形成有一位于该第一表面上的图案化金属层;形成一贯穿该介电层之该第一表面与该第二表面的开口;形成一承载板于该介电层的该第二表面,该承载板具有相对的一第三表面以及一第四表面,其中该介电层的该开口暴露出部分该第三表面;接合一半导体晶粒于该介电层的该开口内,其中该半导体晶粒具有一接合面以及一侧表面;形成至少一贯穿该承载板之该第三表面与该第四表面的贯孔,其中该贯孔暴露出该半导体晶粒的该接合面以及部分该侧表面;以及形成一金属层于该承载板的该第四表面上,该金属层具有至少一从该承载板之该第四表面延伸至配置于该贯孔中的导热柱以及一容纳凹槽,其中该导热柱的一端突出于该承载板的该第三表面,该容纳凹槽位于该导热柱的该一端上,且该半导体晶粒位于该容纳凹槽中。 | ||
地址 | 新竹县新竹工业区光复北路8号 |