| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung rückseitenkontaktierter Solarzellen aus kristallinem Silizium |
| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung rückseitenkontaktierter Solarzellen aus kristallinem Silizium angegeben, mit mindestens einem Laserdotierschritt zur Erzeugung eines n-Typ- oder p-Typ-dotierten Bereiches (20, 22), und mit mindestens einem Laserablationsschritt zur Freilegung von Kontaktflächen (26) an der Rückseite der Solarzelle (10), die mittels Siebdruck kontaktiert werden.</p> |
| 申请公布号 |
DE102013112638(A1) |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
| 申请号 |
DE201310112638 |
申请日期 |
2013.11.15 |
| 申请人 |
UNIVERSITÄT STUTTGART |
发明人 |
DAHLINGER, MORRIS;RÖDER, TOBIAS;EISELE, SEBASTIAN;KÖHLER, JÜRGEN;ZAPF-GOTTWICK, RENATE;WERNER, JÜRGEN H. |
| 分类号 |
H01L31/18;H01L21/268;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068 |
主分类号 |
H01L31/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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