发明名称 DRAM mit geringem Energieverbrauch und Verfahren zum Steuern desselben
摘要 <p>Dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff, welcher Folgendes aufweist: ein Adresslatch (50), das zur Zwischenspeicherung einer Zeilenadresse als Antwort auf ein Zeilenadressen-Strobe-Signal und zur Zwischenspeicherung einer Spaltenadresse als Antwort auf ein Spaltenadressen-Strobe-Signal konfiguriert ist; einen Zeilendekoder, welcher zur Dekodierung der Zeilenadresse konfiguriert ist; einen Aktivierer (70), der zur Dekodierung eines Teils von MSB-Bits der Spaltenadresse zur örtlichen Aktivierung eines Abschnitts eines Seitenbereiches korrespondierend zu der Zeilenadresse konfiguriert ist; und einen Spaltendekoder, welcher zur Dekodierung der Spaltenadresse konfiguriert ist, wobei das Adresslatch (50) ein Verzögerungselement (320; 330) zur Unterstützung einer additiven Latenzspezifikation, die ein Aktivieren des Spaltenadressen-Strobe-Signals nach der Dekodierung des Teils von MSB-Bits der Spaltenadresse um die additive Latenzspezifikation verzögert, aufweist.</p>
申请公布号 DE102007050424(B4) 申请公布日期 2015.05.21
申请号 DE20071050424 申请日期 2007.10.22
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 KIM, YONG-KI
分类号 G11C11/408;G11C11/4063 主分类号 G11C11/408
代理机构 代理人
主权项
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