化合物半导体装置及其制造方法

主权项

一种化合物半导体装置，其包括：化合物半导体层叠结构；电极，系形成于该化合物半导体层叠结构之上；以及p型半导体层，系形成于该化合物半导体层叠结构与该电极之间，其中于该化合物半导体层叠结构与该p型半导体层之间形成有热膨胀系数低于该p型半导体层之基底膜；且该p型半导体层于平行于该化合物半导体层叠结构之表面之方向上，具有由该基底膜之热膨胀系数之差异所产生之张力应变。