记忆体装置及半导体装置

主权项

一种半导体装置，包含：第一记忆体部份，包含非挥发第一记忆体元件，其能藉由写入参考资料储存第一资料；第二记忆体部份，包含第一电晶体及第二记忆体元件，其能藉由写入该参考资料储存第二资料；及比较电路，架构以比较该第一资料与该第二资料，其中该第一电晶体包含氧化物半导体在通道形成区中，及其中该第一电晶体的源极与汲极之一系电连接至该第二记忆体元件。