发明名称 同轴型微波辅助之沉积与蚀刻系统
摘要
申请公布号 TWI485279 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW098108081 申请日期 2009.03.12
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 史托威麦克W;克里希那奈提;霍夫曼赖夫;格里非斯乔伊
分类号 C23C14/35;C23C14/54;C23C16/50;C23C16/52 主分类号 C23C14/35
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种微波沉积和蚀刻系统,包含:一处理腔室;一基板支撑件,位于该处理腔室之中,适以固持一基板;一气体供应系统,适以流入多种气体至该处理腔室之中;及一线性同轴微波天线,适以发射微波,其中该线性同轴微波天线包括由一介电材料所环绕之一线性导体,其中该线性同轴微波天线位于该腔室内并沿着该基板之长度而延伸,且其中该微波天线可相对该处理腔室内之该基板来移动。
地址 美国