| 发明名称 | 形成介层洞的方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI485772 | 申请公布日期 | 2015.05.21 |
| 申请号 | TW099145443 | 申请日期 | 2010.12.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴承翰;尤春祺 |
| 分类号 | H01L21/311 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种形成介层洞的方法，包含：提供一基底，该基底上定义有复数个第一区域；于该基底上形成一介电层以及一阻挡层；移除该等第一区域中的该阻挡层；于该阻挡层上形成一图案化光阻层，其中该图案化光阻层具有一开孔阵列(array)，其中该开孔阵列之面积大于该等第一区域之面积，且该阻挡层的一侧壁完全被该图案化光阻层覆盖；以及以该图案化光阻层为遮罩图案化该介电层，以在该第一区域内之该介电层中形成至少一介层洞。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||