| 发明名称 | 具有金属闸极之半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI485782 | 申请公布日期 | 2015.05.21 |
| 申请号 | TW099142635 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 傅思逸;曾奕铭;刘恩铨;陈正国 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种具有金属闸极之半导体元件之制作方法，包含有：提供一基底，该基底表面形成有至少一虚置闸极(dummy gate)、一至少覆盖该虚置闸极之侧壁之牺牲层、与一暴露该虚置闸极之顶部之介电层；进行一第一蚀刻制程，移除该虚置闸极顶部周围之部分该牺牲层，而于该虚置闸极之顶部周围形成至少一第一凹槽；以及进行一第二蚀刻制程，移除该虚置闸极形成一第二凹槽，且该等第一凹槽与该第二凹槽系构成一T型闸极沟渠(gate trench)。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||