发明名称 半导体发光装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI485891 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW099129913 申请日期 2010.09.03
申请人 东芝股份有限公司 发明人 杉崎吉昭;小幡进
分类号 H01L33/62 主分类号 H01L33/62
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体发光装置,包含:具有第一主表面、在该第一主表面相对侧之第二主表面、及发光层之半导体层;设置在该第二主表面上在其中设置该发光层的一区域中之第一电极;设置在该第二主表面上之第二电极;设置在该半导体层之该第二主表面侧上并包括到达该第一电极之第一开口及到达该第二电极之第二开口的绝缘层;设置在与面对该半导体层之一表面相对的该绝缘层之一表面上并设置在该第一开口中之第一互连层,该第一互连层连接至该第一电极;设置在与面对该半导体层之一表面相对的该绝缘层之一表面上并设置在该第二开口中之第二互连层,该第二互连层连接至该第二电极;设置在与面对该第一电极之一表面相对的该第一互连层之一表面上的第一金属柱;设置在与面对该第二电极之一表面相对的该第二互连层之一表面上的第二金属柱;设置在该第一金属柱的一侧表面与该第二金属柱的一侧表面之间的树脂层;以及设置在该第一金属柱与该第二金属柱之间的该树脂层之一表面上的导电聚合物薄膜,该导电聚合物薄膜电性连 接该第一金属柱及该第二金属柱并短路该第一金属柱及该第二金属柱,其中该导电聚合物薄膜提供用于防止静电放电的漏电路径。
地址 日本