| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung weist eine Schaltungsplatte, die eine Isolationsschicht, eine Verdrahtungsschicht, die auf einer Oberfläche der Isolationsschicht ausgebildet ist, und eine Pufferschicht umfasst, die auf der anderen Oberfläche der Isolationsschicht ausgebildet ist, ein Halbleiterelement, das an die Verdrahtungsschicht gebondet ist, ein Kühlerelement, das an die Pufferschicht der Schaltungsplatte gebondet ist, und ein Harzelement auf, um das Halbleiterelement und eine gesamte Oberfläche der Schaltungsplatte einschließlich einer Außenumfangsoberfläche der Pufferschicht in der Schaltungsplatte zu versiegeln. Ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung umfasst ein Bonden der Pufferschicht der Schaltungsplatte an das Kühlerelement, ein Bonden des Halbleiterelements an die Verdrahtungsschicht der Schaltungsplatte und ein Versiegeln des Halbleiterelements und einer gesamten Oberfläche der Schaltungsplatte einschließlich einer Außenumfangsoberfläche der Pufferschicht der Schaltungsplatte mit einem Harz nach den zwei Bondschritten. |
