| 摘要 |
本発明は、光学系軸（ＯＡ）と偏光影響光学装置（１００，４００，５００）とを有する特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系に関する。一態様によれば、偏光影響光学装置（１００，４００，５００）は、一体設計と直線複屈折とを有する少なくとも１つの偏光影響光学要素（１０１，４０１〜４０４，５０１〜５０４）を含み、偏光影響光学要素（１０１，４０１〜４０４，５０１〜５０４）の全ての複屈折の全体的絶対値は、λが光学系の作動波長である場合にλ／２という値から最大で?１５％だけずれ、複屈折の速軸の方向は、少なくとも１つの偏光影響光学要素（１０１，４０１〜４０４，５０１〜５０４）内の光学系軸（ＯＡ）に対して垂直な平面内で変化し、偏光影響光学要素の複屈折の速軸の分布は、要素の少なくとも１つの光学的不使用領域（１０１ｂ，３０１ｂ，３０１ｃ）内に位置する放射線誘起欠陥によってもたらされる。【選択図】図２ |
