发明名称 |
薄膜电池结构及其制作方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI485905 |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
申请号 |
TW103124744 |
申请日期 |
2014.07.18 |
申请人 |
行政院原子能委员会核能研究所 |
发明人 |
薛天翔;苏稘翃;詹德均;余玉正;郑元瑞 |
分类号 |
H01M10/04;H01M10/0585;H01M10/052 |
主分类号 |
H01M10/04 |
代理机构 |
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代理人 |
林坤成 台北市信义区松德路171号2楼;林瑞祥 台北市信义区松德路171号2楼 |
主权项 |
一种薄膜电池结构,其包括:一基板;一第一集电层,其设置于该基板上且具有至少一第一集电凸块;一第一电极层阵列,其具有至少一第一电极层,其中每一第一电极层设置于该第一集电层上,且至少一第一集电凸块嵌设于每一第一电极层内;一电解质层,其中每一第一电极层嵌设于该电解质层内;一第二电极层,其设置于该电解质层上;以及一第二集电层,其设置于该第二电极层上。 |
地址 |
桃园市龙潭区文化路1000号 |