发明名称 薄膜电池结构及其制作方法
摘要
申请公布号 TWI485905 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW103124744 申请日期 2014.07.18
申请人 行政院原子能委员会核能研究所 发明人 薛天翔;苏稘翃;詹德均;余玉正;郑元瑞
分类号 H01M10/04;H01M10/0585;H01M10/052 主分类号 H01M10/04
代理机构 代理人 林坤成 台北市信义区松德路171号2楼;林瑞祥 台北市信义区松德路171号2楼
主权项 一种薄膜电池结构,其包括:一基板;一第一集电层,其设置于该基板上且具有至少一第一集电凸块;一第一电极层阵列,其具有至少一第一电极层,其中每一第一电极层设置于该第一集电层上,且至少一第一集电凸块嵌设于每一第一电极层内;一电解质层,其中每一第一电极层嵌设于该电解质层内;一第二电极层,其设置于该电解质层上;以及一第二集电层,其设置于该第二电极层上。
地址 桃园市龙潭区文化路1000号