发明名称 具有桥型中介层的半导体封装
摘要
申请公布号 TWI485838 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW101146368 申请日期 2012.12.10
申请人 美国博通公司 发明人 卡利卡连 萨姆帕斯 克维;赵子群;胡坤忠;卡恩 雷泽厄 拉曼;佛伦肯 皮耶特;陈向东
分类号 H01L25/04;H01L23/52 主分类号 H01L25/04
代理机构 代理人 庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 一种半导体封装,包括:桥型中介层,由中介层电介质形成,所述中介层电介质不具有直通矽晶穿孔;第一主动式晶片,具有位于所述桥型中介层之上的第一部分,以及不位于所述桥型中介层之上的第二部分;以及第二主动式晶片,具有位于所述桥型中介层之上的第一部分,以及不位于所述桥型中介层之上的第二部分;其中,所述第一主动式晶片的所述第二部分和所述第二主动式晶片的所述第二部分包括安装在封装基板上的焊球;其中,所述第一主动式晶片和所述第二主动式晶片采用所述焊球而不采用直通矽晶穿孔将电信号传递至所述封装基板;其中,所述第一主动式晶片和第二主动式晶片经由所述桥型中介层来传递DC信号至晶片。
地址 美国