发光二极体晶片及其制作方法,申请号TW101102513-传众专利搜索

发明名称	发光二极体晶片及其制作方法
摘要
申请公布号	TWI485880	申请公布日期	2015.05.21
申请号	TW101102513	申请日期	2012.01.20
申请人	易磊光电科技有限公司	发明人	郭政煌;李明伦;赖韦志
分类号	H01L33/02	主分类号	H01L33/02
代理机构		代理人	叶璟宗台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;詹东颖台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;刘亚君台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项	一种发光二极体晶片，包括：一混成基板，包括：一成长基板；以及一金属氮化物薄膜，配置于该成长基板上，在该金属氮化物薄膜中，金属的含量大于氮的含量，其中该金属氮化物薄膜中不含氧；一第一型半导体层，配置于该混成基板上；一主动层，配置于该第一型半导体层上；以及一第二型半导体层，配置于该主动层上。
地址	桃园市芦竹区大竹路258号