| 发明名称 | 温度传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种温度传感器，包括：衬底(1)；铂电阻(2)，布置在所述衬底(1)上；保护层(4)，覆盖所述铂电阻(2)；覆盖层(5)，覆盖所述保护层(4)；所述覆盖层(5)包含Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Si<sub>2</sub>O。根据本发明，所述覆盖层(5)还包含Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN104634471A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410571341.4 | 申请日期 | 2014.10.23 |
| 申请人 | 森萨塔科技百慕大有限公司 | 发明人 | 凯瑟琳·欧苏利文;安东尼·赫利希;安东尼·马赫;巴拉苏博拉马尼姆·维德海纳森;陈阳 |
| 分类号 | G01K7/18(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人 | 马佑平;马铁良 |
| 主权项 | 一种温度传感器，包括：衬底(1)；铂电阻(2)，布置在所述衬底(1)上；保护层(4)，覆盖所述铂电阻(2)；覆盖层(5)，覆盖所述保护层(4)；所述覆盖层(5)包含Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Si<sub>2</sub>O；其特征在于，所述覆盖层(5)还包含Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。 | ||
| 地址 | 百慕大汉密尔顿教堂街2号克莱伦顿大楼 | ||